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学术成果

Resistance switching study of stoichiometric ZrO2 films for non-volatile memory application

发布时间:2022-04-21点击次数:
  • 发表刊物: Thin Solid Films
  • 论文编号: SY102294
  • 卷号: 518
  • 期号: 20
  • 页面范围: 5652-5655
  • 是否译文:
  • 发表时间: 2010-01-01