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学术成果
学术成果
Sub-10 nm silicon FinFET devices on SOI substrate made by block copolymer lithography
发布时间：2021-04-02
点击次数：
发表刊物：
NEURAL NETWORKS
编号：
SY99123
卷号：
25
页面范围：
5-13
是否译文：
否
发表时间：
2012-01-01
下一条：
Combining double patterning with self-assembled block copolymer lamellae to fabricate 10.5 nm full-pitch line/space patterns
