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论文成果

Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

发布时间:2021-12-27点击次数:
  • 发表刊物: 外国美学
  • 论文编号: SY58761
  • 期号: 2
  • 页面范围: 203-218
  • 是否译文:
  • 发表时间: 2018-01-01