博士生导师
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Tunable Charge-Trap Memory Based on Few-Layer MoS2
点击次数：
发表刊物：ACS Nano
论文编号：SY106876
卷号：9
期号：1
页面范围：612-619
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
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发表刊物：ACS Nano
论文编号：SY106876
卷号：9
期号：1
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是否译文：否
发表时间：2015-01-01