张浩中文主页--论文成果

中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

论文成果

Anisotropic ultrahigh hole mobility in two-dimensional penta-SiC2 by strain-engineering: electronic structure and chemical bonding analysis

发布时间：2021-05-31点击次数：

发表刊物： IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
编号： SY127160
卷号： 20
期号： 1
是否译文： 否
发表时间： 2014-01-01

上一条：The conflicting role of buckled structure in phonon transport of 2D group-IV and group-V materials

下一条：Memristive behavior in In2Se3 asymmetrical hetero-structures