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Anisotropic ultrahigh hole mobility in two-dimensional penta-SiC2 by strain-engineering: electronic structure and chemical bonding analysis

发布时间：2021-05-31点击次数：

发表刊物： SIXTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PRECISION MECHANICAL MEASUREMENTS
编号： SY131677
卷号： 8916
是否译文： 否
发表时间： 2013-01-01

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