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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

发布时间：2021-06-21点击次数：

发表刊物： PHYSICAL REVIEW B
编号： SY122255
卷号： 94
期号： 24
是否译文： 否
发表时间： 2016-01-01

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