Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy
发布时间：2021-05-31
点击次数：
- 发表刊物：
- SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 编号：
- SY117694
- 卷号：
- 33
- 期号：
- 12
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-01-01
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