Factors influencing epitaxial growth of three-dimensional Ge quantum dot crystals on pit-patterned Si substrate
发布时间：2026-10-22
点击次数：
- 发表刊物：
- NANOTECHNOLOGY
- 编号：
- SY117509
- 卷号：
- 24
- 期号：
- 1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2013-01-01
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