The studies of Ge quantum dots on strained Si0.7Ge0.3 layer by photoluminescence and deep level transient spectroscopy
发布时间：2021-12-30
点击次数：
- 发表刊物：
- APPLIED SURFACE SCIENCE
- 编号：
- SY87483
- 卷号：
- 255
- 期号：
- 6
- 页面范围：
- 3548-3551
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2009-01-01