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论文成果

Formation of Graphene-Silicon Junction by Room Temperature Reduction With Simultaneous Defects Removal

发布时间:2021-12-13点击次数:
  • 发表刊物: IEEE Transactions on Electron Devices
  • 论文编号: HS9210
  • 卷号: 68
  • 期号: 2
  • 页面范围: 873-878
  • 是否译文:
  • 发表时间: 2021-01-01