孙剑中文主页--学术成果

中文主页 >> 科学研究 >> 学术成果

学术成果

Enhancement of Near-Infrared Photovoltaic Response of Si/Au Schottky-Junction Structure by Band-Bending Approaches

发布时间：2025-01-06点击次数：

发表刊物： Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
编号： A24120600379
卷号： 222
期号： 3
是否译文： 否
发表时间： 2025-01-01

上一条：Highly Bright Silicon Nanocrystal White Light-Emitting Diodes With Luminance in Excess of 10000 cd m⁻2

下一条：Tilted-wave optical modes in thin passive waveguide: Theoretical simulation and experimental realization