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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

发布时间：2021-12-27点击次数：

发表刊物： 南京社会科学
编号： SY169400
期号： 1
页面范围： 107-112
是否译文： 否
发表时间： 2013-01-01

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