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学科：微电子学与固体电子学

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Highly selective etch of silicon dioxide with tungsten hard mask deposited by PVD process

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发表刊物：2018 18TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY, IWJT 2018
编号：SY126913
卷号：2018-January
页面范围：122-124
是否译文：否
发表时间：2018-01-01
发表时间：2018-01-01

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