INFLUENCE OF TRENCH OXIDE ON SCHOTTKY BARRIER HEIGHT FOR TISIX/SI POWER DIODE
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- 发表刊物：2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY(ICSICT) PROCEEDINGS
- 编号：SR3176
- 页面范围：389-391
- 是否译文：否
- 发表时间：2016-01-01
- 发表时间：2016-01-01
