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INFLUENCE OF TRENCH OXIDE ON SCHOTTKY BARRIER HEIGHT FOR TISIX/SI POWER DIODE

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发表刊物：2016 13Th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(Icsict) Proceedings
论文编号：SR3176
页面范围：389-391
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
发表时间：2016-01-01

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