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  • 学科：微电子学与固体电子学
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Origin of high on-state current for dopant-segregated Schottky MOSFET
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  • 发表刊物：PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC
  • 编号：SY123682
  • 页面范围：691-693
  • 是否译文：否
  • 发表时间：2011-01-01
  • 发表时间：2011-01-01
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