• 学科:微电子学与固体电子学
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Optimization of Ni(Pt)/Si-cap/SiGe Silicidation for pMOS Source/Drain Contact
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  • 发表刊物:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
  • 编号:SY128207
  • 卷号:64
  • 期号:5
  • 页面范围:2067-2071
  • 是否译文:否
  • 发表时间:2017-01-01
  • 发表时间:2017-01-01