蒋玉龙中文主页--论文成果

教授

所在单位：集成电路与微纳电子创新学院
学历：研究生毕业
性别：男
学位：博士学位
职称：教授
在职信息：在职
学科：微电子学与固体电子学

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果 >> $Optimization of N...

Optimization of Ni(Pt)/Si-cap/SiGe Silicidation for pMOS Source/Drain Contact

点击次数：
发表刊物：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
编号：SY128207
卷号：64
期号：5
页面范围：2067-2071
是否译文：否
发表时间：2017-01-01
发表时间：2017-01-01

上一条： Effective Contact Resistivity Reduction for Mo/Pd/n-In0.53Ga0.47 as Contact

下一条： KrF Photoresist Profile Modulation by NH3 Plasma Treatment for 28 nm SRAM