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  • 学科：微电子学与固体电子学
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Effective Schottky Barrier Height Lowering by TiN Capping Layer for TiSix/Si Power Diode
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  • 发表刊物：IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  • 编号：YF7654
  • 卷号：36
  • 期号：6
  • 页面范围：597-599
  • 是否译文：否
  • 发表时间：2015-01-01
  • 发表时间：2015-01-01
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