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学术成果

Anisotropic ultrahigh hole mobility in two-dimensional penta-SiC2 by strain-engineering: electronic structure and chemical bonding analysis

发布时间：2024-12-13点击次数：
  • 发表刊物： IEEE Photonics Journal
  • 编号： A110804064
  • 卷号： 14
  • 期号： 1
  • 页面范围： 5212905 (5 pp.)
  • 是否译文： 否
  • 发表时间： 2022-01-01
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