Anisotropic ultrahigh hole mobility in two-dimensional penta-SiC2 by strain-engineering: electronic structure and chemical bonding analysis
发布时间：2021-05-31
点击次数：
- 发表刊物：
- RSC Advances
- 编号：
- SY112746
- 卷号：
- 7
- 期号：
- 72
- 页面范围：
- 45705-45713
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-01-01