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Contributions of N+, N-2(+), NO+ Ion Implantation to p-Type Conversion of ZnO:Al Films

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发表刊物：IEEE Transactions on Plasma Science

论文编号：SY128556

卷号：39

期号：2

页面范围：711-716

是否译文：否

发表时间：2011-01-01

上一条：: 退火温度对用PⅢ方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响

下一条：: An all-silicon laser based on silicon nanocrystals with high optical gains