钟振扬

学术成果

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Controllable growth of GeSi nanostructures by molecular beam epitaxy

发布时间:2021-05-31
点击次数:

发表刊物:
半导体学报(英文版)
编号:
SY118168
卷号:
39
期号:
6
是否译文:
否
发表时间:
2018-01-01