Modulation of Schottky Barrier Height for NiSi/Si(110) Diodes Using an Antimony Interlayer
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- 发表刊物：2011 IEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE AND MATERIALS FOR ADVANCED METALLIZATION (IITC/MAM)
- 论文编号：SR3681
- 是否译文：否
- 发表时间：2011-01-01
- 发表时间：2011-01-01
