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学科：微电子学与固体电子学

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Effective Schottky Barrier Height Modulation by an Ultrathin Passivation Layer of GeOxNy for Al/n-Ge(100) Contact

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发表刊物：ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
编号：SY134172
卷号：14
期号：12
页面范围：H487-H490
是否译文：否
发表时间：2011-01-01
发表时间：2011-01-01

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