TiO2/HfO2 Bi-Layer Gate Stacks Grown by Atomic Layer Deposition for Germanium-Based Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using GeOxNy Passivation Layer
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- 发表刊物：ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
- 编号：SY134142
- 卷号：14
- 期号：5
- 页面范围：G27-G30
- 是否译文：否
- 发表时间：2011-01-01
- 发表时间：2011-01-01
