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教授
所在单位：
集成电路与微纳电子创新学院
学历：
研究生毕业
性别：
男
学位：
博士学位
职称：
教授
在职信息：
在职
学科：
微电子学与固体电子学
论文成果
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>> $Significant Thres...
Significant Threshold Voltage Shift Induced by Ge Penetration into PMOSFET Channel of 28-nm SRAM
点击次数：
发表刊物：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
编号：
SY127267
卷号：
40
期号：
1
页面范围：
87-90
是否译文：
否
发表时间：
2019-01-01
发表时间：
2019-01-01
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