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教授
  • 所在单位：微电子学院
  • 学历：研究生毕业
  • 性别：男
  • 学位：博士学位
  • 职称：教授
  • 在职信息：在职
  • 学科：微电子学与固体电子学
论文成果
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Significant Threshold Voltage Shift Induced by Ge Penetration into PMOSFET Channel of 28-nm SRAM
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  • 发表刊物：IEEE Electron Device Letters
  • 论文编号：SY127267
  • 卷号：40
  • 期号：1
  • 页面范围：87-90
  • 是否译文：否
  • 发表时间：2019-01-01
  • 发表时间：2019-01-01
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