• 学科:微电子学与固体电子学
论文成果
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A Modified 1/f Noise Model for MOSFETs With Ultra-Thin Gate Oxide
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  • 发表刊物:IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  • 编号:SY127249
  • 卷号:37
  • 期号:5
  • 页面范围:537-540
  • 是否译文:否
  • 发表时间:2016-01-01
  • 发表时间:2016-01-01