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Study of Schottky barrier height modulation for NiSi/Si contact with an antimony interlayer
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发表刊物：
MICROELECTRONIC ENGINEERING
编号：
SY98240
卷号：
106
页面范围：
121-124
是否译文：
否
发表时间：
2013-01-01
发表时间：
2013-01-01
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