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所在单位:
微电子学院
学历:
研究生毕业
性别:
男
学位:
博士学位
职称:
教授
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在职
学科:
微电子学与固体电子学
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Study of Schottky barrier height modulation for NiSi/Si contact with an antimony interlayer
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发表刊物:
Microelectronic Engineering
论文编号:
SY98240
卷号:
106
页面范围:
121-124
是否译文:
否
发表时间:
2013-01-01
发表时间:
2013-01-01
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从学生角度出发讲授好理工科课程
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A Modified 1/f Noise Model for MOSFETs With Ultra-Thin Gate Oxide