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Thermal activation of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height
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发表刊物：
中国物理B：英文版
编号：
SR5737
卷号：
19
期号：
9
页面范围：
552-562
是否译文：
否
发表时间：
2010-01-01
发表时间：
2010-01-01
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