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Anisotropic ultrahigh hole mobility in two-dimensional penta-SiC2 by strain-engineering: electronic structure and chemical bonding analysis

发布时间：2021-05-31点击次数：

发表刊物： RSC Advances
编号： SY112755
卷号： 7
期号： 73
页面范围： 46431-46435
是否译文： 否
发表时间： 2017-01-01

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