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论文成果

Ultrahigh electron mobility induced by strain engineering in direct semiconductor monolayer Bi2TeSe2

发布时间:2021-06-03点击次数:
  • 发表刊物: npj Computational Materials
  • 编号: SY109193
  • 卷号: 4
  • 期号: 1
  • 是否译文:
  • 发表时间: 2018-01-01