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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

发布时间：2021-06-14点击次数：

发表刊物： OPTICAL ENGINEERING
编号： SY131649
卷号： 57
期号： 3
是否译文： 否
发表时间： 2018-01-01

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