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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

发布时间：2021-12-09点击次数：

发表刊物： Nanophotonics
论文编号： TZ10788
卷号： 9
期号： 7
页面范围： 2053-2062
是否译文： 否
发表时间： 2020-01-01

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