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朱凯晨青年研究员

博士，复旦大学光电研究院青年研究员，博士生导师。国家/上海市海外高层次青年人才。研究领域聚焦新型电子器件与集成技术，重点研究方向包括新型存储与存内运算，h-BN基忆阻器和h-BN栅控晶体管及其异质集成，致力于通过材料-器件-电路协同创新，推动先进计算架构发展。发表学术论文35篇，包括Nature（2），Nature Electronics（2），Nature Reviews Materials等，其中高被引4篇，总被引2276次，h指数19。担任Nature Communications，Advanced Materials和Materials Science & Engineering等期刊审稿人。课题组长期招收具有材料生长、微纳加工、器件物理和电子工程等相关背景的博士后，并欢迎报考硕士和博士研究生！谷歌学术：https://scho...

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基于忆阻器的混合2D/CMOS微芯片

具体成果一，设计新型存储单元。CMOS晶体管和hBN忆阻器的组合，可以有效调控离子迁移，和单个忆阻器相比，压低了器件整体的工作电压和电流，进而降低开关时间和功耗。实际测得的开关时间和功耗等指标均优于富士通2023年最新阻变存储器；实现高速低功耗的数据多值存储。

在新型存储单元的研究基础上，实现了多种基于忆阻器的逻辑运算，包括逻辑或，逻辑蕴含；并进一步构建了多功能存算一体阵列。

具体成果二，发现h-BN非线性阻变的限域性阻变机理。发现h-BN主要由两部分组成，绝缘且稳定的层状结构，和导电的本征缺陷。将h-BN用于忆阻器，其阻变行为被限制在局部缺陷处，从而提高器件可靠性。