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Sub-10 nm silicon FinFET devices on SOI substrate made by block copolymer lithography

发布时间：2021-12-09点击次数：

发表刊物： 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY, ICSICT 2018 - PROCEEDINGS
论文编号： YF1384
页面范围： 21-23
是否译文： 否
发表时间： 2018-01-01

下一条：Combining double patterning with self-assembled block copolymer lamellae to fabricate 10.5 nm full-pitch line/space patterns